淺析半導(dǎo)體在金屬管浮子流量計(jì)中的應(yīng)用
在過(guò)去的幾年中,金屬管浮子流量計(jì)的革命已經(jīng)導(dǎo)致在幾乎所有可以想象的應(yīng)用中轉(zhuǎn)向了金屬管浮子流量計(jì)的大規(guī)模生產(chǎn)和使用。越來(lái)越多的智能手機(jī)將半導(dǎo)體集成到這些金屬管浮子流量計(jì)中得到了極大的支持。
什么是半導(dǎo)體?
半導(dǎo)體是既不是好的導(dǎo)體也不是好的絕緣體的材料。在半導(dǎo)體(如硅,碳化硅和砷化鎵)中,可以通過(guò)向器件提供能量來(lái)產(chǎn)生自由電荷載流子。
半導(dǎo)體材料通常使用稱(chēng)為摻雜的過(guò)程來(lái)創(chuàng)建,該過(guò)程涉及將受控量的雜質(zhì)引入材料中以控制其電性能。通過(guò)使用摻雜技術(shù),與原始半導(dǎo)體材料相比,可以分別使用具有更少和更多電子的元素生產(chǎn)帶正電或帶負(fù)電的半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體應(yīng)用
半導(dǎo)體器件的應(yīng)用可以在當(dāng)今使用的幾乎每種技術(shù)中找到,包括汽車(chē),電話(huà),計(jì)算機(jī)等等。例如,僅基于半導(dǎo)體的集成電路(IC)構(gòu)成了半導(dǎo)體行業(yè)的超過(guò)2000億美元。
隨著分子電子,微機(jī)電(MEMS)器件,區(qū)域選擇性沉積,化學(xué)金屬管浮子流量計(jì)和生物金屬管浮子流量計(jì)領(lǐng)域中出現(xiàn)的半導(dǎo)體應(yīng)用不斷增長(zhǎng),可以肯定地說(shuō),半導(dǎo)體在現(xiàn)代技術(shù)中起著主導(dǎo)作用。
金屬管浮子流量計(jì)所需的半導(dǎo)體特性
將半導(dǎo)體集成到固態(tài)金屬管浮子流量計(jì)中時(shí),必須考慮諸如能帶結(jié)構(gòu)的基本特性,以確保非常適合該特定金屬管浮子流量計(jì)的材料類(lèi)型。例如,壓阻金屬管浮子流量計(jì)主要由硅組成,因?yàn)檫@種材料可以充當(dāng)金屬管浮子流量計(jì)的載體,并具有復(fù)雜的帶邊緣結(jié)構(gòu)。金屬管浮子流量計(jì)應(yīng)用的其他重要屬性考慮因素包括直接能隙和與集成電路的兼容性。
氣體金屬管浮子流量計(jì)中的半導(dǎo)體
與其他傳感技術(shù)相比,金屬氧化物半導(dǎo)體氣體金屬管浮子流量計(jì)具有許多優(yōu)勢(shì),包括更高的耐用性,更長(zhǎng)的使用壽命,相對(duì)較低的成本,較高的材料靈敏度和快速的響應(yīng)時(shí)間。
根據(jù)能帶理論,用作氣體金屬管浮子流量計(jì)的金屬氧化物半導(dǎo)體膜通過(guò)使目標(biāo)氣體直接與膜表面相互作用而起作用。這種相互作用導(dǎo)致材料的電荷載流子濃度改變,非常終改變了金屬氧化物膜的電導(dǎo)率或電阻率。
一些非常常用的金屬氧化物半導(dǎo)體氣體金屬管浮子流量計(jì)包括那些出于環(huán)境監(jiān)測(cè)目的而監(jiān)測(cè)一氧化碳(CO)和二氧化氮(NO 2)以及氨(NH 3)和二氧化碳(CO 2)水平的金屬管浮子流量計(jì)。
智能手機(jī)金屬管浮子流量計(jì)中的半導(dǎo)體
在普通的現(xiàn)代智能手機(jī)中,可以找到十多種不同類(lèi)型的金屬管浮子流量計(jì),包括觸摸,加速度,磁讀數(shù)和接近金屬管浮子流量計(jì)。
例如,三星公司已經(jīng)創(chuàng)造了一種新型的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像金屬管浮子流量計(jì),無(wú)論外部環(huán)境如何,它都可以創(chuàng)建充滿(mǎn)活力且異常清晰的圖像。憑借其ISOCELL Bright Tetracell技術(shù)的支持,三星智能手機(jī)相機(jī)會(huì)自動(dòng)提高成像期間的感光度,尤其是在光線(xiàn)不足的情況下。
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